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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
610601KM416V1004AR-F63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610602KM416V1004AR-F73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610603KM416V1004AR-F83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
610604KM416V1004AR-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610605KM416V1004AR-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610606KM416V1004AR-L83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
610607KM416V1004AT-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610608KM416V1004AT-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610609KM416V1004AT-83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
610610KM416V1004AT-F63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610611KM416V1004AT-F73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610612KM416V1004AT-F83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
610613KM416V1004AT-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610614KM416V1004AT-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610615KM416V1004AT-L83.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns,Samsung Electronic
610616KM416V1004BJ-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610617KM416V1004BJ-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610618KM416V1004BJ-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610619KM416V1004BJ-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic



610620KM416V1004BJ-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610621KM416V1004BJ-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610622KM416V1004BT-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610623KM416V1004BT-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610624KM416V1004BT-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610625KM416V1004BT-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610626KM416V1004BT-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610627KM416V1004BT-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610628KM416V1004CRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehorsSamsung Electronic
610629KM416V1004CJ-451m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
610630KM416V1004CJ-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610631KM416V1004CJ-501m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
610632KM416V1004CJ-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610633KM416V1004CJ-601m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
610634KM416V1004CJ-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610635KM416V1004CJ-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610636KM416V1004CJL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610637KM416V1004CJL-501m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610638KM416V1004CJL-601m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610639KM416V1004CT-451m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
610640KM416V1004CT-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
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