Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
610601 | KM416V1004AR-F6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610602 | KM416V1004AR-F7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610603 | KM416V1004AR-F8 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns, | Samsung Electronic |
610604 | KM416V1004AR-L6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610605 | KM416V1004AR-L7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610606 | KM416V1004AR-L8 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns, | Samsung Electronic |
610607 | KM416V1004AT-6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610608 | KM416V1004AT-7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610609 | KM416V1004AT-8 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns, | Samsung Electronic |
610610 | KM416V1004AT-F6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610611 | KM416V1004AT-F7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610612 | KM416V1004AT-F8 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns, | Samsung Electronic |
610613 | KM416V1004AT-L6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610614 | KM416V1004AT-L7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610615 | KM416V1004AT-L8 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 80 ns, | Samsung Electronic |
610616 | KM416V1004BJ-5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610617 | KM416V1004BJ-6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610618 | KM416V1004BJ-7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610619 | KM416V1004BJ-L5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610620 | KM416V1004BJ-L6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610621 | KM416V1004BJ-L7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610622 | KM416V1004BT-5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610623 | KM416V1004BT-6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610624 | KM416V1004BT-7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610625 | KM416V1004BT-L5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610626 | KM416V1004BT-L6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610627 | KM416V1004BT-L7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610628 | KM416V1004C | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec des données prolongées dehors | Samsung Electronic |
610629 | KM416V1004CJ-45 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64ms | Samsung Electronic |
610630 | KM416V1004CJ-5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610631 | KM416V1004CJ-50 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64ms | Samsung Electronic |
610632 | KM416V1004CJ-6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610633 | KM416V1004CJ-60 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64ms | Samsung Electronic |
610634 | KM416V1004CJ-L5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610635 | KM416V1004CJ-L6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610636 | KM416V1004CJL-45 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610637 | KM416V1004CJL-50 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610638 | KM416V1004CJL-60 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610639 | KM416V1004CT-45 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 45ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64ms | Samsung Electronic |
610640 | KM416V1004CT-5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
| | | |