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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
610641KM416V1004CT-501m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
610642KM416V1004CT-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610643KM416V1004CT-601m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64msSamsung Electronic
610644KM416V1004CT-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610645KM416V1004CT-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610646KM416V1004CTL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610647KM416V1004CTL-501m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610648KM416V1004CTL-601m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610649KM416V1200BRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
610650KM416V1200BJ-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610651KM416V1200BJ-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610652KM416V1200BJ-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
610653KM416V1200BJL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610654KM416V1200BJL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610655KM416V1200BJL-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
610656KM416V1200BT-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610657KM416V1200BT-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610658KM416V1200BT-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic



610659KM416V1200BTL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610660KM416V1200BTL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610661KM416V1200BTL-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70nsSamsung Electronic
610662KM416V1200CRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
610663KM416V1200CJ-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610664KM416V1200CJ-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610665KM416V1200CJL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610666KM416V1200CJL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610667KM416V1200CT-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610668KM416V1200CT-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610669KM416V1200CTL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50nsSamsung Electronic
610670KM416V1200CTL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60nsSamsung Electronic
610671KM416V1204BJRAM du 1M X 16BIT CMOS DYNAMIT AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORSSamsung Electronic
610672KM416V1204BJ-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610673KM416V1204BJ-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610674KM416V1204BJ-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610675KM416V1204BJ-L53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610676KM416V1204BJ-L63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610677KM416V1204BJ-L73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
610678KM416V1204BT-53.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610679KM416V1204BT-63.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610680KM416V1204BT-73.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
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