Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
610641 | KM416V1004CT-50 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 50ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64ms | Samsung Electronic |
610642 | KM416V1004CT-6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610643 | KM416V1004CT-60 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec données étendues sur, 60ns, VCC = 3.3V, période de rafraîchissement = 64ms | Samsung Electronic |
610644 | KM416V1004CT-L5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610645 | KM416V1004CT-L6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610646 | KM416V1004CTL-45 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610647 | KM416V1004CTL-50 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610648 | KM416V1004CTL-60 | 1m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 3.3V, auto-rafraîchissement | Samsung Electronic |
610649 | KM416V1200B | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
610650 | KM416V1200BJ-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
610651 | KM416V1200BJ-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
610652 | KM416V1200BJ-7 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
610653 | KM416V1200BJL-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
610654 | KM416V1200BJL-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
610655 | KM416V1200BJL-7 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
610656 | KM416V1200BT-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
610657 | KM416V1200BT-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
610658 | KM416V1200BT-7 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
610659 | KM416V1200BTL-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
610660 | KM416V1200BTL-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
610661 | KM416V1200BTL-7 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 70ns | Samsung Electronic |
610662 | KM416V1200C | RAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de page | Samsung Electronic |
610663 | KM416V1200CJ-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
610664 | KM416V1200CJ-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
610665 | KM416V1200CJL-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
610666 | KM416V1200CJL-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
610667 | KM416V1200CT-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
610668 | KM416V1200CT-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
610669 | KM416V1200CTL-5 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 50ns | Samsung Electronic |
610670 | KM416V1200CTL-6 | 1m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 3.3V, 60ns | Samsung Electronic |
610671 | KM416V1204BJ | RAM du 1M X 16BIT CMOS DYNAMIT AVEC DES DONNÉES PROLONGÉES DEHORS | Samsung Electronic |
610672 | KM416V1204BJ-5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610673 | KM416V1204BJ-6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610674 | KM416V1204BJ-7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610675 | KM416V1204BJ-L5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610676 | KM416V1204BJ-L6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610677 | KM416V1204BJ-L7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
610678 | KM416V1204BT-5 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns, | Samsung Electronic |
610679 | KM416V1204BT-6 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60ns | Samsung Electronic |
610680 | KM416V1204BT-7 | 3.3V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns, | Samsung Electronic |
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