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2N5210 construit près: |
Silicium De Transistors(NPN D'Amplificateur) D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N5209, |
Téléchargement 2N5210 datasheet de ON Semiconductor |
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TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Téléchargement 2N5210 datasheet de Samsung Electronic |
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Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Téléchargement 2N5210 datasheet de Central Semiconductor |
pdf 75 kb |
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Amplificateur D'Usage universel de NPN | Téléchargement 2N5210 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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TRANSISTORS DE SIGNAL DE BAS BRUIT D'CAf DE SILICIUM DE NPN PETITS | Téléchargement 2N5210 datasheet de Micro Electronics |
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transistors de l'amplificateur. Tension collecteur-émetteur: 50V = VCEO. Tension collecteur-base: 50V = VCBO. Collector dissipation: Pc (max) = 625mW. | Téléchargement 2N5210 datasheet de USHA India LTD |
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2N5209RLRE | Vue 2N5210 à notre catalogue | 2N5210BU |