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BC637 construit près: |
0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BC640-10, BC640-16, BC636-10, BC636, BC635-16, |
Téléchargement BC637 datasheet de Continental Device India Limited |
pdf 54 kb |
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TRANSISTORS DE SILICIUM D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BC638, BC640, BC635, BC639, |
Téléchargement BC637 datasheet de Micro Electronics |
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Transistor Tout usage | Téléchargement BC637 datasheet de Korea Electronics (KEC) |
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Transistor. les applications de commutation et d'amplification. VceR = 60V, 60V = Vces, VCEO = 60V, 5V = Vebo, Pc = 1W, Ic = 1A. | Téléchargement BC637 datasheet de USHA India LTD |
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Hauts Transistors Courants | Téléchargement BC637 datasheet de Motorola |
pdf 123 kb |
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Transistor d'Af De Silicium de NPN | Téléchargement BC637 datasheet de Infineon |
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Transistors d'cAf de silicium de NPN (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Téléchargement BC637 datasheet de Siemens |
pdf 133 kb |
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Haut Transistor Courant D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BC635RL1, BC635ZL1, BC639-16ZL1, BC639RL1, BC639ZL1, |
Téléchargement BC637 datasheet de ON Semiconductor |
pdf 67 kb |
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Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Téléchargement BC637 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 42 kb |
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Transistors de puissance moyens de NPN D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BC639-16, BC637-16, BC639-10, |
Téléchargement BC637 datasheet de Philips |
pdf 51 kb |
BC636ZL1 | Vue BC637 à notre catalogue | BC637-16 |