| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 250961 | BC637 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
| 250962 | BC637 | Transistor d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 250963 | BC637 | TRANSISTORS DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 250964 | BC637 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
| 250965 | BC637 | Hauts Transistors Courants | Motorola |
| 250966 | BC637 | Haut Transistor Courant | ON Semiconductor |
| 250967 | BC637 | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE | Continental Device India Limited |
| 250968 | BC637 | Transistor. les applications de commutation et d'amplification. VceR = 60V, 60V = Vces, VCEO = 60V, 5V = Vebo, Pc = 1W, Ic = 1A. | USHA India LTD |
| 250969 | BC637-16 | Transistors de puissance moyens de NPN | Philips |
| 250970 | BC637-16 | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE - | Continental Device India Limited |
| 250971 | BC637_D26Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250972 | BC637_D27Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250973 | BC637_D75Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250974 | BC637_L34Z | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250975 | BC638 | Transistors de puissance moyens de PNP | Philips |
| 250976 | BC638 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250977 | BC638 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
| 250978 | BC638 | Transistor d'Af De Silicium de PNP | Infineon |
| 250979 | BC638 | TRANSISTORS DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 250980 | BC638 | Transistors d'cAf de silicium de PNP (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
| 250981 | BC638 | Hauts Transistors Courants | Motorola |
| 250982 | BC638 | Plastique PNP De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 250983 | BC638 | 0.800W usage général PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40-160 hFE | Continental Device India Limited |
| 250984 | BC638 | Transistor. les applications de commutation et d'amplification. VceR = -60V, Vces = -60V, VCEO = -60V, Vebo = 5V, Pc = 1W, Ic = -1A. | USHA India LTD |
| 250985 | BC638-10 | 0.800W usage général PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE - | Continental Device India Limited |
| 250986 | BC638-10 | PNP transistors de puissance moyenne | Philips |
| 250987 | BC638-16 | Transistors de puissance moyens de PNP | Philips |
| 250988 | BC638-16 | 0.800W usage général PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 1.000A Ic, 25 HFE - | Continental Device India Limited |
| 250989 | BC638BU | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250990 | BC638TA | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250991 | BC638TF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250992 | BC638TFR | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 250993 | BC638ZL1 | Plastique PNP De Silicium De Transistor | ON Semiconductor |
| 250994 | BC639 | Transistors de puissance moyens de NPN | Philips |
| 250995 | BC639 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 250996 | BC639 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Zetex Semiconductors |
| 250997 | BC639 | Transistor d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 250998 | BC639 | TRANSISTORS DE SILICIUM | Micro Electronics |
| 250999 | BC639 | Transistors d'cAf de silicium de NPN (courant de collecteur élevé élevé de gain courant) | Siemens |
| 251000 | BC639 | Hauts Transistors Courants | Motorola |
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