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GES5812 construit près: |
Planar passive transistor NPN épitaxiale de silicium. 25V, 750mA. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: GES5810, GES5811, GES5813, |
Téléchargement GES5812 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 94 kb |
GES5811-J1 | Vue GES5812 à notre catalogue | GES5812-J1 |