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IRFF312 construit près: |
MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. Tension drain-source de 400 V. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRFF313, |
Téléchargement IRFF312 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 74 kb |
IRFF311 | Vue IRFF312 à notre catalogue | IRFF313 |