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KM44C256B-10 construit près: |
100 ns; V (cc / in / out): -1,0 à 7,0 V; 600 MW; 50mA; 256K x 4-bit CMOS RAM dynamique avec mode rapide de la page D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: KM44C256B-7, KM44C256B-8, |
Téléchargement KM44C256B-10 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 1485 kb |
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