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| KM616FS4110ZI-10 construit près: | 
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 | 100 ns; V (cc): -2 à + 3V; 1W; 256K x 16 bits ultra faible puissance et basse tension plein RAM statique CMOS D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: KM616FS4110ZI-7, |
Téléchargement KM616FS4110ZI-10 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 459 kb |
| KM6164002I | Vue KM616FS4110ZI-10 à notre catalogue | KM616FS4110ZI-7 |