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KSB1150 construit près: |
-60 V, -3 A, épitaxiée de silicium transistor PNP Darlington D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: KSB1149, |
Téléchargement KSB1150 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 244 kb |
KSB1149YSTU | Vue KSB1150 à notre catalogue | KSB1151 |