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MJE170 construit près: |
Usage universel Plombé De Transistor De Puissance D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: MJE180, MJE181, MJE182, MJE172, MJE171, |
Téléchargement MJE170 datasheet de Central Semiconductor |
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12.500W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 40V VCEO, 3.000A Ic, 50-250 hFE. | Téléchargement MJE170 datasheet de Continental Device India Limited |
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PUISSANCE TRANSISTORS(3.0a, 40-80v, 12.5w) | Téléchargement MJE170 datasheet de MOSPEC Semiconductor |
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-60 V, -3 A, le transistor PNP épitaxiale de silicium | Téléchargement MJE170 datasheet de Samsung Electronic |
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Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Téléchargement MJE170 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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MJE16204-D | Vue MJE170 à notre catalogue | MJE170STU |