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| | Erste Seite | Alle Hersteller | Durch Funktion | Inhaltsverzeichnis | |
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| Schneller Sprung zu: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |  |  |
| IRF351 Vorbei Hergestellt: | 
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 | 13,0 A und 15.0A, 350 und 400V, 0.300 und 0.400 Ohm, Lawine veran *, N-Kanal-Leistungs-MOSFET FN1826.2 Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF353, IRF352, |
Download IRF351 datasheet von Intersil |
pdf 65 kb |
 | N-Führung Energie MOSFETs/ 15A/ 350V/400V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF350, IRF350-353, |
Download IRF351 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 122 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF351 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 217 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 15A. | Download IRF351 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
| IRF350-353 | Ansicht IRF351 zu unserem Katalog | IRF3515L |