| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 567721 | IRF343 | 10A und 8.3A, 400V und 350V, 0,55 und 0,80 Ohm, N-Kanal-Leistungs-MOSFETs | Intersil |
| 567722 | IRF350 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket | International Rectifier |
| 567723 | IRF350 | N-Führung Energie MOSFETs/ 15A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567724 | IRF350 | 15A/ 400V/ 0.300 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 567725 | IRF350 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567726 | IRF350 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 15A. | General Electric Solid State |
| 567727 | IRF350-353 | N-Führung Energie MOSFETs/ 15A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567728 | IRF351 | N-Führung Energie MOSFETs/ 15A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567729 | IRF351 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567730 | IRF351 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 15A. | General Electric Solid State |
| 567731 | IRF351 | 13,0 A und 15.0A, 350 und 400V, 0.300 und 0.400 Ohm, Lawine veran *, N-Kanal-Leistungs-MOSFET FN1826.2 | Intersil |
| 567732 | IRF3515L | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567733 | IRF3515LPBF | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567734 | IRF3515S | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567735 | IRF3515SPBF | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567736 | IRF3515STRL | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567737 | IRF3515STRR | 150V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567738 | IRF352 | N-Führung Energie MOSFETs/ 15A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567739 | IRF352 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567740 | IRF352 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567741 | IRF352 | 13,0 A und 15.0A, 350 und 400V, 0.300 und 0.400 Ohm, Lawine veran *, N-Kanal-Leistungs-MOSFET FN1826.2 | Intersil |
| 567742 | IRF353 | N-Führung Energie MOSFETs/ 15A/ 350V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567743 | IRF353 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567744 | IRF353 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567745 | IRF353 | 13,0 A und 15.0A, 350 und 400V, 0.300 und 0.400 Ohm, Lawine veran *, N-Kanal-Leistungs-MOSFET FN1826.2 | Intersil |
| 567746 | IRF36 | Drosselspulen | Vishay |
| 567747 | IRF36 | Drosselspulen | Vishay |
| 567748 | IRF360 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AE Paket | International Rectifier |
| 567749 | IRF3703 | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567750 | IRF3703PBF | 30V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567751 | IRF3704 | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567752 | IRF3704L | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567753 | IRF3704PBF | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567754 | IRF3704S | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567755 | IRF3704STRL | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567756 | IRF3704STRR | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567757 | IRF3704Z | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567758 | IRF3704ZCL | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567759 | IRF3704ZCLPBF | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567760 | IRF3704ZCS | 20V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
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