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IRF352 Vorbei Hergestellt: |
N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 13A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF350, IRF351, IRF353, |
Download IRF352 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 15A/ 350V/400V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF350-353, |
Download IRF352 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 122 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF352 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 217 kb |
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13,0 A und 15.0A, 350 und 400V, 0.300 und 0.400 Ohm, Lawine veran *, N-Kanal-Leistungs-MOSFET FN1826.2 | Download IRF352 datasheet von Intersil |
pdf 65 kb |
IRF3515STRR | Ansicht IRF352 zu unserem Katalog | IRF353 |