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| IRF530 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-Kanal Enhancement-Mode-Silizium-Gate | Download IRF530 datasheet von ON Semiconductor |
PDF 188 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 14A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF531, IRF532, IRF533, |
Download IRF530 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 168 kb |
 | 100 V, Leistungsfeldeffekttransistor | Download IRF530 datasheet von TRANSYS Electronics Limited |
pdf 463 kb |
 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf | Download IRF530 datasheet von Motorola |
pdf 163 kb |
 | 100V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF530PBF, |
Download IRF530 datasheet von International Rectifier |
pdf 181 kb |
 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF530 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 358 kb |
 | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOREN Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF530FI, |
Download IRF530 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 52 kb |
 | N-CHANNEL 100V - 0.115 OHM - 14A TO-220 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | Download IRF530 datasheet von ST Microelectronics |
pdf 281 kb |
 | N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILIKON-GATTER | Download IRF530 datasheet von TRSYS |
pdf 462 kb |
| N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | Download IRF530 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 52 kb |
 | 14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Führung Energie MOSFETs | Download IRF530 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 77 kb |
| IRF523 | Ansicht IRF530 zu unserem Katalog | IRF530-D |