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IRF531 Vorbei Hergestellt: |
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF530, IRF532, IRF533, |
Download IRF531 datasheet von Motorola |
pdf 163 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 14A. | Download IRF531 datasheet von General Electric Solid State |
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N-Führung Verbesserung-Modus Vertikale DMOS Energie FETs Andere mit der gleichen Akte für datasheet: R531, |
Download IRF531 datasheet von Supertex Inc |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF531 datasheet von Samsung Electronic |
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N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF130, IRF132, IRF131, IRF133, IRF130-133, |
Download IRF531 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 185 kb |
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N-Kanal-MOSFET, 80V, 14A Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF531F1, IRF532F1, IRF533F1, IRF530F1, |
Download IRF531 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 193 kb |
IRF530STRR | Ansicht IRF531 zu unserem Katalog | IRF531F1 |