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IRF532 Vorbei Hergestellt: |
N-Führung Energie MOSFETs/ 20 A 60-100 V Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF130, IRF533, IRF531, IRF132, IRF131, |
Download IRF532 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 185 kb |
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N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 12A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF530, |
Download IRF532 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 168 kb |
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N-Kanal-MOSFET, 100V, 12A Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF531F1, IRF532F1, IRF533F1, IRF530F1, |
Download IRF532 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 193 kb |
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N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Download IRF532 datasheet von Samsung Electronic |
pdf 358 kb |
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N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE ENERGIE DES SILIKON-GATTER-TMOS FANGEN EFFEKT-TRANSISTOR auf | Download IRF532 datasheet von Motorola |
pdf 163 kb |
IRF531FI | Ansicht IRF532 zu unserem Katalog | IRF532F1 |