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| IRF630 Vorbei Hergestellt: | 
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 | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - TO-220/TO220-FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF630FP, |
Download IRF630 datasheet von ST Microelectronics |
pdf 349 kb |
 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 200V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 9.0A. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: IRF633, IRF632, IRF631, |
Download IRF630 datasheet von General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
 | 200V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | Download IRF630 datasheet von International Rectifier |
pdf 182 kb |
 | 9A/ 200V/ 0.400 Ohm N-Führung Energie MOSFETs Andere mit der gleichen Akte für datasheet: RF1S630SM, |
Download IRF630 datasheet von Intersil |
pdf 67 kb |
 | N-CHANNEL 200V - 0.35 OHM - 9A - TO-220/TO220-FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | Download IRF630 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 109 kb |
 | N-Führung TrenchMOS(tm) Transistor | Download IRF630 datasheet von Philips |
pdf 103 kb |
| N - FÜHRUNG 200V - 0.35W - 9A - TO-220/FP INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | Download IRF630 datasheet von SGS Thomson Microelectronics |
pdf 109 kb |
 | 9A, 200V, 0.400 Ohm, N-Führung Energie MOSFETs | Download IRF630 datasheet von Fairchild Semiconductor |
pdf 134 kb |
| IRF624STRR | Ansicht IRF630 zu unserem Katalog | IRF630A |