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| | Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
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| IRF630 Fabricado cerca: | 
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 | N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 9A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De To-220/to220-fp Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF630FP, |
Transferencia Directa IRF630 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 349 kb |
 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF633, IRF632, IRF631, |
Transferencia Directa IRF630 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
 | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | Transferencia Directa IRF630 datasheet de International Rectifier |
pdf 182 kb |
 | MOSFETs De la Energía De 9A/De 200V/0,400 Ohmios/N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: RF1S630SM, |
Transferencia Directa IRF630 datasheet de Intersil |
pdf 67 kb |
 | N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 9A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De To-220/to220-fp | Transferencia Directa IRF630 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 109 kb |
 | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Transferencia Directa IRF630 datasheet de Philips |
pdf 103 kb |
| N - CANAL 200V - 0.35W - 9A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De To-220/fp | Transferencia Directa IRF630 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 109 kb |
 | 9A, 200V, 0,400 Ohmios, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Transferencia Directa IRF630 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 134 kb |
| IRF624STRR | Vista IRF630 a nuestro catálogo | IRF630A |