| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 567641 | IRF3007 | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567642 | IRF3007L | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567643 | IRF3007S | 75V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567644 | IRF320 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567645 | IRF320 | 2.8A und 3.3A/ 350V und 400V/ 1.8 und 2.5 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567646 | IRF320 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567647 | IRF320 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 567648 | IRF320-323 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567649 | IRF3205 | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567650 | IRF3205L | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567651 | IRF3205LPBF | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567652 | IRF3205PBF | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567653 | IRF3205S | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567654 | IRF3205SPBF | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567655 | IRF3205STRL | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567656 | IRF3205STRR | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2-Pak Paket | International Rectifier |
| 567657 | IRF3205VPBF | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567658 | IRF3205Z | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567659 | IRF3205ZL | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567660 | IRF3205ZLPBF | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem Paket TO-262 | International Rectifier |
| 567661 | IRF3205ZPBF | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem TO-220AB Paket | International Rectifier |
| 567662 | IRF3205ZS | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2Pak Paket | International Rectifier |
| 567663 | IRF3205ZSPBF | 55V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem D2Pak Paket | International Rectifier |
| 567664 | IRF321 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567665 | IRF321 | 2.8A und 3.3A/ 350V und 400V/ 1.8 und 2.5 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567666 | IRF321 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567667 | IRF321 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 567668 | IRF322 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567669 | IRF322 | 2.8A und 3.3A/ 350V und 400V/ 1.8 und 2.5 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567670 | IRF322 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567671 | IRF322 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567672 | IRF323 | N-Führung Energie MOSFETs/ 3.0 A 350-400 V | Fairchild Semiconductor |
| 567673 | IRF323 | 2.8A und 3.3A/ 350V und 400V/ 1.8 und 2.5 Ohm N-Führung Energie MOSFETs | Intersil |
| 567674 | IRF323 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567675 | IRF323 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 350V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567676 | IRF330 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-204AA Paket | International Rectifier |
| 567677 | IRF330 | N-Führung Energie MOSFETs/ 5.5A/ 350 V/400V | Fairchild Semiconductor |
| 567678 | IRF330 | 5.5A/ 400V/ 1.000 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 567679 | IRF330 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFETS | Samsung Electronic |
| 567680 | IRF330 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-sourge Spannung 400V. Drain-Gleichstrom (bei Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
| | | |
