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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
4284128LV010RT4DE253.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284228LV010RT4DI203.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284328LV010RT4DI253.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284428LV010RT4DS203.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284528LV010RT4DS253.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284628LV010RT4FB203.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284728LV010RT4FB253.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284828LV010RT4FE203.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4284928LV010RT4FE253.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285028LV010RT4FI203.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285128LV010RT4FI253.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285228LV010RT4FS203.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
4285328LV010RT4FS253.3V 1 Megabit (128K x 8 bits) - EEPROMMaxwell Technologies
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4285528LV256JC-3CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 200 ns.Turbo IC
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4285728LV256JC-4CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 250 ns.Turbo IC
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4285928LV256JC-5CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 300 ns.Turbo IC



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4286128LV256JC-6CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.Turbo IC
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4286928LV256JI-6CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.Turbo IC
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4288028LV256PC-4Velocidad: 250 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROMTurbo IC
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