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Nr.	Nombre de la Parte	Descripción	Fabricante
42881	28LV256PC-4	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 250 ns.	Turbo IC
42882	28LV256PC-5	Velocidad: 300 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42883	28LV256PC-5	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 300 ns.	Turbo IC
42884	28LV256PC-6	Velocidad: 400 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42885	28LV256PC-6	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.	Turbo IC
42886	28LV256PI-3	Velocidad: 200 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42887	28LV256PI-3	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 200 ns.	Turbo IC
42888	28LV256PI-4	Velocidad: 250 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42889	28LV256PI-4	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 250 ns.	Turbo IC
42890	28LV256PI-5	Velocidad: 300 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42891	28LV256PI-5	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 300 ns.	Turbo IC
42892	28LV256PI-6	Velocidad: 400 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42893	28LV256PI-6	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.	Turbo IC
42894	28LV256PM-3	Velocidad: 200 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42895	28LV256PM-3	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 200 ns.	Turbo IC
42896	28LV256PM-4	Velocidad: 250 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42897	28LV256PM-4	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 250 ns.	Turbo IC
42898	28LV256PM-5	Velocidad: 300 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42899	28LV256PM-5	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 300 ns.	Turbo IC

42900	28LV256PM-6	Velocidad: 400 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42901	28LV256PM-6	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.	Turbo IC
42902	28LV256SC-3	Velocidad: 200 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42903	28LV256SC-3	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 200 ns.	Turbo IC
42904	28LV256SC-4	Velocidad: 250 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42905	28LV256SC-4	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 250 ns.	Turbo IC
42906	28LV256SC-5	Velocidad: 300 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42907	28LV256SC-5	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 300 ns.	Turbo IC
42908	28LV256SC-6	Velocidad: 400 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42909	28LV256SC-6	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.	Turbo IC
42910	28LV256SI-3	Velocidad: 200 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42911	28LV256SI-3	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 200 ns.	Turbo IC
42912	28LV256SI-4	Velocidad: 250 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42913	28LV256SI-4	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 250 ns.	Turbo IC
42914	28LV256SI-5	Velocidad: 300 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42915	28LV256SI-5	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 300 ns.	Turbo IC
42916	28LV256SI-6	Velocidad: 400 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42917	28LV256SI-6	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 400 ns.	Turbo IC
42918	28LV256SM-3	Velocidad: 200 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC
42919	28LV256SM-3	CMOS de baja tensión. 256K ROM programable y borrable eléctricamente. 32K x 8 EEPROM bits. Tiempo de acceso 200 ns.	Turbo IC
42920	28LV256SM-4	Velocidad: 250 ns, baja tensión CMOS 256 K y borrable eléctricamente 32K ROM programable x 8 bit EEPROM	Turbo IC

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