Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
567561 | IRF230-233 | MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567562 | IRF231 | MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567563 | IRF231 | 8.0A y 9.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,4 y 0,6 ohmios/N-Canal | Intersil |
567564 | IRF231 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567565 | IRF231 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
567566 | IRF232 | MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567567 | IRF232 | 8.0A y 9.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,4 y 0,6 ohmios/N-Canal | Intersil |
567568 | IRF232 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567569 | IRF232 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
567570 | IRF233 | MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567571 | IRF233 | 8.0A y 9.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,4 y 0,6 ohmios/N-Canal | Intersil |
567572 | IRF233 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567573 | IRF233 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
567574 | IRF234 | 8.1A y 6.Ä/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,45 y 0,68 ohmios/N-Canal | Intersil |
567575 | IRF235 | 8.1A y 6.Ä/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,45 y 0,68 ohmios/N-Canal | Intersil |
567576 | IRF236 | 8.1A y 6.Ä/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,45 y 0,68 ohmios/N-Canal | Intersil |
567577 | IRF237 | 8.1A y 6.Ä/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,45 y 0,68 ohmios/N-Canal | Intersil |
567578 | IRF240 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe | International Rectifier |
567579 | IRF240 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal PARA LOS USOS de HI.REL | SemeLAB |
567580 | IRF240 | MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567581 | IRF240 | Mosfet De la Energía De 1Å/De 200V/0,180 Ohmios/N-Canal | Intersil |
567582 | IRF240 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567583 | IRF240-243 | MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567584 | IRF240SMD | MOSFET DE LA ENERGÍA DE N.CHANNEL | SemeLAB |
567585 | IRF241 | MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567586 | IRF241 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567587 | IRF241 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 18A. | General Electric Solid State |
567588 | IRF241 | 16A y 18A, 200V y 150V, 0.18 y 0.22 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
567589 | IRF242 | MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567590 | IRF242 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567591 | IRF242 | 16A y 18A, 200V y 150V, 0.18 y 0.22 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
567592 | IRF243 | MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
567593 | IRF243 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
567594 | IRF243 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 16A. | General Electric Solid State |
567595 | IRF243 | 16A y 18A, 200V y 150V, 0.18 y 0.22 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
567596 | IRF244 | 1Â y 1Á/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,28 y 0,34 ohmios/N-Canal | Intersil |
567597 | IRF245 | 1Â y 1Á/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,28 y 0,34 ohmios/N-Canal | Intersil |
567598 | IRF246 | 1Â y 1Á/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,28 y 0,34 ohmios/N-Canal | Intersil |
567599 | IRF247 | 1Â y 1Á/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,28 y 0,34 ohmios/N-Canal | Intersil |
567600 | IRF250 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe | International Rectifier |
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