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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
567561IRF230-233MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567562IRF231MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567563IRF2318.0A y 9.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,4 y 0,6 ohmios/N-CanalIntersil
567564IRF231MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567565IRF231N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a.General Electric Solid State
567566IRF232MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567567IRF2328.0A y 9.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,4 y 0,6 ohmios/N-CanalIntersil
567568IRF232MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567569IRF232N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
567570IRF233MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567571IRF2338.0A y 9.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,4 y 0,6 ohmios/N-CanalIntersil
567572IRF233MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567573IRF233N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A.General Electric Solid State
567574IRF2348.1A y 6.Ä/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,45 y 0,68 ohmios/N-CanalIntersil
567575IRF2358.1A y 6.Ä/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,45 y 0,68 ohmios/N-CanalIntersil
567576IRF2368.1A y 6.Ä/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,45 y 0,68 ohmios/N-CanalIntersil
567577IRF2378.1A y 6.Ä/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,45 y 0,68 ohmios/N-CanalIntersil
567578IRF240200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âeInternational Rectifier



567579IRF240Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal PARA LOS USOS de HI.RELSemeLAB
567580IRF240MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567581IRF240Mosfet De la Energía De 1Å/De 200V/0,180 Ohmios/N-CanalIntersil
567582IRF240Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567583IRF240-243MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567584IRF240SMDMOSFET DE LA ENERGÍA DE N.CHANNELSemeLAB
567585IRF241MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567586IRF241Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567587IRF241N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 18A.General Electric Solid State
567588IRF24116A y 18A, 200V y 150V, 0.18 y 0.22 Ohm, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567589IRF242MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567590IRF242Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567591IRF24216A y 18A, 200V y 150V, 0.18 y 0.22 Ohm, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567592IRF243MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-CanalFairchild Semiconductor
567593IRF243Mosfet de la ENERGÍA Del N-canalSamsung Electronic
567594IRF243N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 16A.General Electric Solid State
567595IRF24316A y 18A, 200V y 150V, 0.18 y 0.22 Ohm, N-Channel MOSFET de potenciaIntersil
567596IRF2441Â y 1Á/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,28 y 0,34 ohmios/N-CanalIntersil
567597IRF2451Â y 1Á/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,28 y 0,34 ohmios/N-CanalIntersil
567598IRF2461Â y 1Á/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,28 y 0,34 ohmios/N-CanalIntersil
567599IRF2471Â y 1Á/275V y 250V/mOSFETs de la energía de 0,28 y 0,34 ohmios/N-CanalIntersil
567600IRF250200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âeInternational Rectifier
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