| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 567481 | IRF1405PBF | 55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567482 | IRF1405S | 55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567483 | IRF1405STRL | 55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567484 | IRF1405STRR | 55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567485 | IRF1405Z | 55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567486 | IRF1405ZL | 55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567487 | IRF1405ZS | 55V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567488 | IRF1407 | 75V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567489 | IRF1407L | 75V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567490 | IRF1407S | 75V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567491 | IRF140SMD | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
| 567492 | IRF141 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567493 | IRF141 | MOSFET de potencia de canal N, 27 A, 60 V. | Fairchild Semiconductor |
| 567494 | IRF141 | 28A y 25A, 80V y 100V, 0,077 y 0,100 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567495 | IRF142 | Energía A MOSFETs/27/60-100V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567496 | IRF142 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567497 | IRF142 | 28A y 25A, 80V y 100V, 0,077 y 0,100 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567498 | IRF143 | Energía A MOSFETs/27/60-100V Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 567499 | IRF143 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567500 | IRF143 | 28A y 25A, 80V y 100V, 0,077 y 0,100 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567501 | IRF150 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20âe | International Rectifier |
| 567502 | IRF150 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
| 567503 | IRF150 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567504 | IRF150 | Mosfet De la Energía De 40A/De 100V/0,055 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 567505 | IRF150 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567506 | IRF150 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
| 567507 | IRF150-153 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567508 | IRF1503 | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 567509 | IRF1503L | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 567510 | IRF1503S | 30V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 567511 | IRF150SMD | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
| 567512 | IRF151 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567513 | IRF151 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567514 | IRF151 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 40A. | General Electric Solid State |
| 567515 | IRF151 | 33A y 40A, 60V y 100V, 0,055 y 0,08 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567516 | IRF152 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| 567517 | IRF152 | MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Samsung Electronic |
| 567518 | IRF152 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
| 567519 | IRF152 | 33A y 40A, 60V y 100V, 0,055 y 0,08 Ohm, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 567520 | IRF153 | Energía Del N-Canal A MOSFETs/40/60 V/100 V | Fairchild Semiconductor |
| | | |
