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Nr.	Nombre de la Parte	Descripción	Fabricante
568201	IRF623	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A.	General Electric Solid State
568202	IRF624	250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab	International Rectifier
568203	IRF624	Mosfet Del N-Canal 250V	Fairchild Semiconductor
568204	IRF624B	Mosfet Del N-Canal 250V	Fairchild Semiconductor
568205	IRF624B_FP001	B-b-fet del N-Canal 250V/substituto del & IRF624; IRF62Â	Fairchild Semiconductor
568206	IRF624S	250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak	International Rectifier
568207	IRF624STRL	250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak	International Rectifier
568208	IRF624STRR	250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak	International Rectifier
568209	IRF630	transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal	Philips
568210	IRF630	9A, 200V, 0,400 Ohmios, MOSFETs De la Energía Del N-Canal	Fairchild Semiconductor
568211	IRF630	N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 9A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De To-220/to220-fp	ST Microelectronics
568212	IRF630	200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab	International Rectifier
568213	IRF630	N - CANAL 200V - 0.35W - 9A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De To-220/fp	SGS Thomson Microelectronics
568214	IRF630	N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 9A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De To-220/to220-fp	SGS Thomson Microelectronics
568215	IRF630	MOSFETs De la Energía De 9A/De 200V/0,400 Ohmios/N-Canal	Intersil
568216	IRF630	N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a.	General Electric Solid State
568217	IRF630A	Mosfet Avanzado De la Energía	Fairchild Semiconductor
568218	IRF630B	Mosfet Del N-Canal 200V	Fairchild Semiconductor
568219	IRF630BTSTU_FP001	B-b-fet del N-Canal 200V/substituto del & IRF630; IRF630A	Fairchild Semiconductor

568220	IRF630B_FP001	B-b-fet del N-Canal 200V/substituto del & IRF630; IRF630A	Fairchild Semiconductor
568221	IRF630FP	N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 9A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De To-220/to220-fp	ST Microelectronics
568222	IRF630FP	N - CANAL 200V - 0.35W - 9A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De To-220/fp	SGS Thomson Microelectronics
568223	IRF630FP	N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 9A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De To-220/to220-fp	SGS Thomson Microelectronics
568224	IRF630M	Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO 9A To-220/to-220fp Del N-canal 200V 0,35	ST Microelectronics
568225	IRF630M	Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO 9A To-220/to-220fp Del N-canal 200V 0,35	SGS Thomson Microelectronics
568226	IRF630MFP	Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO 9A To-220/to-220fp Del N-canal 200V 0,35	ST Microelectronics
568227	IRF630MFP	Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO 9A To-220/to-220fp Del N-canal 200V 0,35	SGS Thomson Microelectronics
568228	IRF630N	MOSFETs 200V, 9.Á, 0,30Ohmio De la Energía Del N-Canal	Fairchild Semiconductor
568229	IRF630N	200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab	International Rectifier
568230	IRF630NL	200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262	International Rectifier
568231	IRF630NLPBF	200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262	International Rectifier
568232	IRF630NPBF	200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab	International Rectifier
568233	IRF630NS	200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak	International Rectifier
568234	IRF630NSPBF	200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak	International Rectifier
568235	IRF630NSTRL	200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak	International Rectifier
568236	IRF630NSTRR	200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak	International Rectifier
568237	IRF630S	200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak	International Rectifier
568238	IRF630S	N - CANAL 200V - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 0,35 Ohmios -9a-d 2 PAK	SGS Thomson Microelectronics
568239	IRF630S	transistor de TrenchMOS del N-canal	Philips
568240	IRF630S	N - CANAL 200V - Los 0.3öhm - 9A - Mosfet Del RECUBRIMIENTO Del ACOPLAMIENTO De D2PAK ]	ST Microelectronics

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