Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
568281 | IRF640FP | N - CANAL 200V - Los 0.150Ohm - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp | SGS Thomson Microelectronics |
568282 | IRF640FP | N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp | SGS Thomson Microelectronics |
568283 | IRF640L | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
568284 | IRF640LPBF | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
568285 | IRF640N | MOSFETs 200V, 1Å, 0,1Öhmio De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568286 | IRF640N | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568287 | IRF640NL | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
568288 | IRF640NLPBF | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
568289 | IRF640NPBF | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568290 | IRF640NS | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568291 | IRF640NSPBF | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568292 | IRF640NSTR | MOSFET de potencia de canal N para aplicaciones de conmutación rápida, 200V, 18A | International Rectifier |
568293 | IRF640NSTRL | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568294 | IRF640NSTRR | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568295 | IRF640PBF | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568296 | IRF640S | N-canal 200V - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 0,150 OHMIOS -1Å To-263 | ST Microelectronics |
568297 | IRF640S | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568298 | IRF640S | N - CANAL 200V - Los 0.150Ohm - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-263 | SGS Thomson Microelectronics |
568299 | IRF640S | transistor de TrenchMOS del N-canal | Philips |
568300 | IRF640SPBF | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568301 | IRF640STR | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568302 | IRF640STRL | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568303 | IRF640STRR | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568304 | IRF641 | MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568305 | IRF641 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 18A. | General Electric Solid State |
568306 | IRF642 | MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568307 | IRF642 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 16A. | General Electric Solid State |
568308 | IRF643 | MOSFETs/1Å/150-200V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
568309 | IRF644 | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568310 | IRF644 | Mosfet Del N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
568311 | IRF644B | Mosfet Del N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
568312 | IRF644B_FP001 | B-b-fet del N-Canal 250V/substituto del & IRF644; IRF64Â | Fairchild Semiconductor |
568313 | IRF644N | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568314 | IRF644NL | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
568315 | IRF644NPBF | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568316 | IRF644NS | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568317 | IRF644PBF | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
568318 | IRF644S | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568319 | IRF644SPBF | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
568320 | IRF644STRL | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
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