| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 568241 | IRF630SPBF | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568242 | IRF630ST4 | N-canal 200V - 0,35 OHMIOS - 9A - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De To-220/to220-fp | ST Microelectronics |
| 568243 | IRF630STRL | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568244 | IRF630STRR | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568245 | IRF631 | MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568246 | IRF631 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
| 568247 | IRF632 | MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568248 | IRF632 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 568249 | IRF633 | MOSFETs/1À/150-200 V De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568250 | IRF633 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 150V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 8.0A. | General Electric Solid State |
| 568251 | IRF634 | Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO Å To-220/to-220fp Del N-canal 250V 0,38 | ST Microelectronics |
| 568252 | IRF634 | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568253 | IRF634 | Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO Å To-220/to-220fp Del N-canal 250V 0,38 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568254 | IRF634 | Mosfet Avanzado De la Energía | Fairchild Semiconductor |
| 568255 | IRF634A | Mosfet Avanzado De la Energía | Fairchild Semiconductor |
| 568256 | IRF634B | Mosfet Del N-Canal 250V | Fairchild Semiconductor |
| 568257 | IRF634B_FP001 | B-b-fet del N-Canal 250V/substituto del & IRF634; IRF63Â | Fairchild Semiconductor |
| 568258 | IRF634FP | Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO Å To-220/to-220fp Del N-canal 250V 0,38 | ST Microelectronics |
| 568259 | IRF634FP | Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO Å To-220/to-220fp Del N-canal 250V 0,38 | SGS Thomson Microelectronics |
| 568260 | IRF634N | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568261 | IRF634NL | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete To-262 | International Rectifier |
| 568262 | IRF634NS | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568263 | IRF634PBF | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568264 | IRF634S | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568265 | IRF634STRL | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568266 | IRF634STRR | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak | International Rectifier |
| 568267 | IRF640 | transistor de TrenchMOS(tm) del N-canal | Philips |
| 568268 | IRF640 | 1Å, 200V, 0,180 Ohmios, MOSFETs De la Energía Del N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 568269 | IRF640 | N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp | ST Microelectronics |
| 568270 | IRF640 | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab | International Rectifier |
| 568271 | IRF640 | N - CANAL 200V - Los 0.150Ohm - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568272 | IRF640 | N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp | SGS Thomson Microelectronics |
| 568273 | IRF640 | OBSOLETO - Power transistor de efecto campo | ON Semiconductor |
| 568274 | IRF640 | 18A, 200V, 0,180 Ohmios, N-Channel MOSFET de potencia | Intersil |
| 568275 | IRF640-D | Puerta De Silicio Del Realce-Modo Del N-Canal Del Transistor De EfectoDe Campo De la Energía | ON Semiconductor |
| 568276 | IRF640A | Mosfet Avanzado De la Energía | Fairchild Semiconductor |
| 568277 | IRF640B | Mosfet Del N-Canal 200V | Fairchild Semiconductor |
| 568278 | IRF640BTSTU_FP001 | B-b-fet del N-Canal 200V/substituto del & IRF640; IRF640A | Fairchild Semiconductor |
| 568279 | IRF640B_FP001 | B-b-fet del N-Canal 200V/substituto del & IRF640; IRF640A | Fairchild Semiconductor |
| 568280 | IRF640FP | N-canal 200V - 0,150 OHMIOS - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-220/to-220fp | ST Microelectronics |
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