Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
599001 | K4F170812D | ESPOLÓN dinámico de los 2M x 8Bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599002 | K4F170812D-B | 2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. | Samsung Electronic |
599003 | K4F170812D-F | 2M x 8 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. | Samsung Electronic |
599004 | K4F171611D | ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599005 | K4F171611D-J | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización. | Samsung Electronic |
599006 | K4F171611D-T | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 5V Tensión de alimentación, 4K ciclo de actualización. | Samsung Electronic |
599007 | K4F171612D | ESPOLÓN dinámico del 1M x 16Bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599008 | K4F171612D-J | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. | Samsung Electronic |
599009 | K4F171612D-T | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V Tensión de alimentación, ciclo de actualización 4K. | Samsung Electronic |
599010 | K4F640412D | ESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599011 | K4F640412D-JC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 4K refrescar ciclo. | Samsung Electronic |
599012 | K4F640412D-TC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 4K refrescar ciclo. | Samsung Electronic |
599013 | K4F640811B | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599014 | K4F640811B-JC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599015 | K4F640811B-JC-50 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599016 | K4F640811B-JC-60 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599017 | K4F640811B-TC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599018 | K4F640811B-TC-50 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599019 | K4F640811B-TC-60 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599020 | K4F640812D | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599021 | K4F640812D-JC_L | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 4K refrescar ciclo. | Samsung Electronic |
599022 | K4F640812D-TC_L | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 4K refrescar ciclo. | Samsung Electronic |
599023 | K4F641612B | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599024 | K4F641612B-L | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599025 | K4F641612B-TC | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599026 | K4F641612B-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
599027 | K4F641612B-TC50 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599028 | K4F641612B-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
599029 | K4F641612B-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, energía baja | Samsung Electronic |
599030 | K4F641612B-TL50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potencia | Samsung Electronic |
599031 | K4F641612B-TL60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, energía baja | Samsung Electronic |
599032 | K4F641612C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599033 | K4F641612C-L | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599034 | K4F641612C-TC | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599035 | K4F641612C-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
599036 | K4F641612C-TC50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
599037 | K4F641612C-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
599038 | K4F641612C-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, energía baja | Samsung Electronic |
599039 | K4F641612C-TL50 | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599040 | K4F641612C-TL60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, energía baja | Samsung Electronic |
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