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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
599041K4F660411D, K4F640411DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
599042K4F660412DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
599043K4F660412D, K4F640412DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
599044K4F660412D, K4F640412DESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
599045K4F660412D-JC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo.Samsung Electronic
599046K4F660412D-TC_L16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo.Samsung Electronic
599047K4F660412E, K4F640412EESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
599048K4F660412E, K4F640412EESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
599049K4F660811BESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
599050K4F660811B-JC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
599051K4F660811B-JC-508M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
599052K4F660811B-JC-608M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
599053K4F660811B-TC-458M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 45nsSamsung Electronic
599054K4F660811B-TC-508M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50nsSamsung Electronic
599055K4F660811B-TC-608M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60nsSamsung Electronic
599056K4F660811D, K4F640811DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
599057K4F660812DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
599058K4F660812D, K4F640812DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
599059K4F660812D, K4F640812DESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic



599060K4F660812D-JC_L8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo.Samsung Electronic
599061K4F660812D-TC_L8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo.Samsung Electronic
599062K4F660812E, K4F640812EESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
599063K4F660812E, K4F640812EESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
599064K4F661611D, K4F641611DESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la páginaSamsung Electronic
599065K4F661612BESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
599066K4F661612B-LESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
599067K4F661612B-TCESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
599068K4F661612B-TC454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
599069K4F661612B-TC504M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
599070K4F661612B-TC604M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
599071K4F661612B-TL454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, energía bajaSamsung Electronic
599072K4F661612B-TL504M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potenciaSamsung Electronic
599073K4F661612B-TL604M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, energía bajaSamsung Electronic
599074K4F661612CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
599075K4F661612C-LESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
599076K4F661612C-TCESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
599077K4F661612C-TC454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45nsSamsung Electronic
599078K4F661612C-TC504M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50nsSamsung Electronic
599079K4F661612C-TC604M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60nsSamsung Electronic
599080K4F661612C-TL454M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, energía bajaSamsung Electronic
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