Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
599041 | K4F660411D, K4F640411D | ESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599042 | K4F660412D | ESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599043 | K4F660412D, K4F640412D | ESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599044 | K4F660412D, K4F640412D | ESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599045 | K4F660412D-JC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo. | Samsung Electronic |
599046 | K4F660412D-TC_L | 16M x 4 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo. | Samsung Electronic |
599047 | K4F660412E, K4F640412E | ESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599048 | K4F660412E, K4F640412E | ESPOLÓN dinámico del 16M x 4bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599049 | K4F660811B | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599050 | K4F660811B-JC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599051 | K4F660811B-JC-50 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599052 | K4F660811B-JC-60 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599053 | K4F660811B-TC-45 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 45ns | Samsung Electronic |
599054 | K4F660811B-TC-50 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 50ns | Samsung Electronic |
599055 | K4F660811B-TC-60 | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 60ns | Samsung Electronic |
599056 | K4F660811D, K4F640811D | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599057 | K4F660812D | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599058 | K4F660812D, K4F640812D | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599059 | K4F660812D, K4F640812D | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599060 | K4F660812D-JC_L | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo. | Samsung Electronic |
599061 | K4F660812D-TC_L | 8M x 8bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida. 3.3V, 8K refrescar ciclo. | Samsung Electronic |
599062 | K4F660812E, K4F640812E | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599063 | K4F660812E, K4F640812E | ESPOLÓN dinámico de los 8M x 8bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599064 | K4F661611D, K4F641611D | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con la hoja de datos rápida del modo de la página | Samsung Electronic |
599065 | K4F661612B | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599066 | K4F661612B-L | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599067 | K4F661612B-TC | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599068 | K4F661612B-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
599069 | K4F661612B-TC50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
599070 | K4F661612B-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
599071 | K4F661612B-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, energía baja | Samsung Electronic |
599072 | K4F661612B-TL50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50 ns, de baja potencia | Samsung Electronic |
599073 | K4F661612B-TL60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns, energía baja | Samsung Electronic |
599074 | K4F661612C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599075 | K4F661612C-L | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599076 | K4F661612C-TC | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
599077 | K4F661612C-TC45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns | Samsung Electronic |
599078 | K4F661612C-TC50 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 50ns | Samsung Electronic |
599079 | K4F661612C-TC60 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 60ns | Samsung Electronic |
599080 | K4F661612C-TL45 | 4M x 16bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, fuente de alimentación de 3,3 V, 45ns, energía baja | Samsung Electronic |
| | | |