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IRF220 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF223, IRF222, IRF221, |
Transferencia Directa IRF220 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF622, IRF621, IRF220-223, IRF623, |
Transferencia Directa IRF220 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
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4.0A y 5.0A/150V y 200V/mOSFETs de la energía de 0,8 y 1,2 ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF220 datasheet de Intersil |
pdf 73 kb |
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MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF220 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 214 kb |
IRF200S100RJ | Vista IRF220 a nuestro catálogo | IRF220-223 |