|
| Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
|
Salto rápido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF622 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 4.0A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF621, IRF623, IRF620, |
Transferencia Directa IRF622 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
|
MOSFETs/7A/150-200V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF220, IRF222, IRF223, IRF220-223, IRF221, |
Transferencia Directa IRF622 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
IRF6218S | Vista IRF622 a nuestro catálogo | IRF623 |