|
| Primera página | Todos los fabricantes | Por la función | |
|
Salto rápido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF352 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 400V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 13A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF350, IRF351, IRF353, |
Transferencia Directa IRF352 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 197 kb |
|
MOSFETs/1Ä/350V/400V De la Energía Del N-Canal Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF350-353, |
Transferencia Directa IRF352 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 122 kb |
|
MOSFETS de la ENERGÍA Del N-canal | Transferencia Directa IRF352 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 217 kb |
|
13.0a y 15.0A, 350 y 400 V, 0.300 y 0.400 ohmios, Avalancha Calificación *, N-Channel Power MOSFET FN1826.2 | Transferencia Directa IRF352 datasheet de Intersil |
pdf 65 kb |
IRF3515STRR | Vista IRF352 a nuestro catálogo | IRF353 |