|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



IRF640S Fabricado cerca:English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Opinión todos los datasheets de SGS Thomson MicroelectronicsN - CANAL 200V - Los 0.150Ohm - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 1Å To-263 Transferencia Directa IRF640S datasheet de
SGS Thomson Microelectronics		 pdf
89 kb
Opinión todos los datasheets de International Rectifier200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de D2-Pak

Otros con el mismo archivo para el datasheet:
IRF640STRR, IRF640STR, IRF640STRL, IRF640L, IRF640LPBF, 		Transferencia Directa IRF640S datasheet de
International Rectifier		 pdf
241 kb
Opinión todos los datasheets de Philipstransistor de TrenchMOS del N-canal Transferencia Directa IRF640S datasheet de
Philips		 pdf
100 kb
Opinión todos los datasheets de ST MicroelectronicsN-canal 200V - Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO De 0,150 OHMIOS -1Å To-263 Transferencia Directa IRF640S datasheet de
ST Microelectronics		 pdf
291 kb
IRF640PBFVista IRF640S a nuestro catálogoIRF640SPBF



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com