|
| Home | Tutti i fornitori | Dalla funzione | |
|
Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF531 prodotto da: |
TRANSISTORE di EFFETTO di CAMPO di ALIMENTAZIONE della PORTA AL SILICIO Di Aumento-modo Della N-scanalatura TMOS D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF530, IRF532, IRF533, |
Scarica IRF531 datasheet de Motorola |
pdf 163 kb |
|
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 60V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 14A. | Scarica IRF531 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 168 kb |
|
FETs Verticali Di Alimentazione Di Aumento-Modo DMOS Della N-Scanalatura D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: R531, |
Scarica IRF531 datasheet de Supertex Inc |
pdf 77 kb |
|
MOSFETS di ALIMENTAZIONE Della N-scanalatura | Scarica IRF531 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 358 kb |
|
Alimentazione Della N-Scanalatura A MOSFETs/20/60-100 V D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF130, IRF132, IRF131, IRF133, IRF130-133, |
Scarica IRF531 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 185 kb |
|
MOSFET a canale N, 80V, 14A D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF531F1, IRF532F1, IRF533F1, IRF530F1, |
Scarica IRF531 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 193 kb |
IRF530STRR | Vista IRF531 al nostro catalogo | IRF531F1 |