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Salto rapido a: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF620 prodotto da: |
Canale N transistore di potenza valorizzazione modalità ad effetto di campo. Drain-Sourge tensione di 200V. Corrente continua drain (a Tc 25deg) 5.0A. D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF621, IRF622, IRF623, |
Scarica IRF620 datasheet de General Electric Solid State |
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VECCHIO PRODUCT:not ADATTO A NUOVO Progett-in D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF620FI, |
Scarica IRF620 datasheet de ST Microelectronics |
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200V scelgono il MOSFET di alimentazione della N-Scanalatura HEXFET in un pacchetto di To-220ab D'Altri con la stessa lima per il foglio di dati: IRF620PBF, |
Scarica IRF620 datasheet de International Rectifier |
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Mosfet Di Alimentazione 200V/Di 5.0A/0,800 Ohm/N-Scanalatura | Scarica IRF620 datasheet de Intersil |
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5.0A, 200V, 0,800 Ohm, Mosfet Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Scarica IRF620 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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N - TRANSISTORI Del MOS Di ALIMENTAZIONE Di MODO Di AUMENTO Della MANICA | Scarica IRF620 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
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TRANSISTORI del MOS di ALIMENTAZIONE di MODO di AUMENTO Della N-scanalatura | Scarica IRF620 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 189 kb |
IRF6156 | Vista IRF620 al nostro catalogo | IRF620B |