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IRF620 Fabricado cerca: |
N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 200V de tensión. Corriente continua de drenaje (a Tc 25deg) 5,0 A. Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF621, IRF622, IRF623, |
Transferencia Directa IRF620 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 166 kb |
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VIEJO PRODUCT:NOT CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF620FI, |
Transferencia Directa IRF620 datasheet de ST Microelectronics |
pdf 331 kb |
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200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de To-220ab Otros con el mismo archivo para el datasheet: IRF620PBF, |
Transferencia Directa IRF620 datasheet de International Rectifier |
pdf 182 kb |
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Mosfet De la Energía De 5.0A/De 200V/0,800 Ohmios/N-Canal | Transferencia Directa IRF620 datasheet de Intersil |
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5.0A, 200V, 0,800 Ohmios, Mosfet De la Energía Del N-Canal | Transferencia Directa IRF620 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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N - TRANSISTORES Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | Transferencia Directa IRF620 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 189 kb |
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TRANSISTORES del MOS de la ENERGÍA del MODO del REALCE Del N-canal | Transferencia Directa IRF620 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 189 kb |
IRF6156 | Vista IRF620 a nuestro catálogo | IRF620B |