| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 567881 | IRF440 | 500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA | International Rectifier |
| 567882 | IRF440 | MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567883 | IRF440 | 8A/ 500V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.850 Ohm | Intersil |
| 567884 | IRF440 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567885 | IRF440-443 | MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567886 | IRF441 | MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567887 | IRF441 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567888 | IRF441 | 7A e 8A, 450V e 500V, 0,85 e 1,1 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567889 | IRF442 | MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567890 | IRF442 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567891 | IRF442 | 7A e 8A, 450V e 500V, 0,85 e 1,1 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567892 | IRF443 | MOSFETs/ 8A/ 450 V/500V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567893 | IRF443 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567894 | IRF443 | 7A e 8A, 450V e 500V, 0,85 e 1,1 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567895 | IRF450 | N Canaliza o Mosfet | Microsemi |
| 567896 | IRF450 | 500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AA | International Rectifier |
| 567897 | IRF450 | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567898 | IRF450 | 13A/ 500V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.400 Ohm | Fairchild Semiconductor |
| 567899 | IRF450 | 13A/ 500V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.400 Ohm | Intersil |
| 567900 | IRF450 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567901 | IRF450 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567902 | IRF451 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567903 | IRF451 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 13A. | General Electric Solid State |
| 567904 | IRF451 | 11A e 13A, 450V e 500V, 0,4 e 0,5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567905 | IRF452 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567906 | IRF452 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 500V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 567907 | IRF452 | 11A e 13A, 450V e 500V, 0,4 e 0,5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567908 | IRF453 | MOSFETS DO PODER DE N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567909 | IRF453 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 450V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 12A. | General Electric Solid State |
| 567910 | IRF453 | 11A e 13A, 450V e 500V, 0,4 e 0,5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs | Intersil |
| 567911 | IRF460 | 500V escolhem o MOSFET da N-Canaleta hi-Rel-Rel em um pacote de TO-204AE | International Rectifier |
| 567912 | IRF460 | MOSFETS DE ALTA TENSÃO DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | SemeLAB |
| 567913 | IRF4905 | -55V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567914 | IRF4905L | -55V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote TO-262 | International Rectifier |
| 567915 | IRF4905PBF | -55V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567916 | IRF4905S | -55V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567917 | IRF4905STRL | -55V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567918 | IRF4905STRL-111 | -55V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567919 | IRF4905STRR | -55V escolhem o MOSFET do poder da P-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567920 | IRF500 | 50W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADO | etc |
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