| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 567921 | IRF500 | 50W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADO | etc |
| 567922 | IRF500C10RJ | 50W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADO | etc |
| 567923 | IRF500C10RJ | 50W ao ALUMÍNIO DADO FORMA LISO dos RESISTORES da FERIDA do FIO do PODER 500W ELEVADO ABRIGADO | etc |
| 567924 | IRF510 | 5.6A, 100V, 0.540 Ohm, Mosfet Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567925 | IRF510 | 100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567926 | IRF510 | FETs Verticais Do Poder Da Realce-Modalidade DMOS Da N-Canaleta | Supertex Inc |
| 567927 | IRF510 | 5.6A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.540 Ohm | Intersil |
| 567928 | IRF510 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567929 | IRF510 | MOSFET N-canal, 100V, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567930 | IRF510-513 | MOSFETs/ 5.5 A 60-100V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567931 | IRF510A | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | Fairchild Semiconductor |
| 567932 | IRF510S | 100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567933 | IRF510STRL | 100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567934 | IRF510STRR | 100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de D2-Pak | International Rectifier |
| 567935 | IRF511 | FETs Verticais Do Poder Da Realce-Modalidade DMOS Da N-Canaleta | Supertex Inc |
| 567936 | IRF511 | MOSFETs/ 5.5 A 60-100V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567937 | IRF511 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567938 | IRF511 | MOSFET N-canal, 80V, 5.6A | Harris Semiconductor |
| 567939 | IRF512 | FETs Verticais Do Poder Da Realce-Modalidade DMOS Da N-Canaleta | Supertex Inc |
| 567940 | IRF512 | MOSFETs/ 5.5 A 60-100V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567941 | IRF512 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 100V de tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567942 | IRF512 | MOSFET N-canal, 100V, 4.9A | Harris Semiconductor |
| 567943 | IRF513 | FETs Verticais Do Poder Da Realce-Modalidade DMOS Da N-Canaleta | Supertex Inc |
| 567944 | IRF513 | MOSFETs/ 5.5 A 60-100V Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567945 | IRF513 | N-canal de energia do modo de aprimoramento de efeito de campo transistor. Escorra-sourge 60V tensão. Corrente de dreno contínua (em Tc 25deg) 3.5A. | General Electric Solid State |
| 567946 | IRF513 | MOSFET N-canal, 80V, 4.9A | Harris Semiconductor |
| 567947 | IRF520 | 9.2A, 100V, 0.270 Ohm, Características do Mosfet Do Poder Da N-Canaleta | Fairchild Semiconductor |
| 567948 | IRF520 | N-CHANNEL 100V - 0.115 OHM - MOSFET BAIXO DO PODER DA CARGA STRIPFET II DA PORTA DE 10A TO-220 | ST Microelectronics |
| 567949 | IRF520 | 100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567950 | IRF520 | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
| 567951 | IRF520 | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 567952 | IRF520 | N - FETs VERTICAIS do PODER da MODALIDADE DMOS do REALCE da CANALETA | Supertex Inc |
| 567953 | IRF520 | 9.2A/ 100V/ Mosfet Do Poder Da N-Canaleta De 0.270 Ohm | Intersil |
| 567954 | IRF520A | MOSFET DO PODER DE N-CHANNEL | Fairchild Semiconductor |
| 567955 | IRF520FI | TRANSISTOR DO MOS DO PODER DA MODALIDADE DO REALCE DE N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 567956 | IRF520FI | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | SGS Thomson Microelectronics |
| 567957 | IRF520FI | N - TRANSISTOR Do MOS Do PODER Da MODALIDADE Do REALCE Da CANALETA | ST Microelectronics |
| 567958 | IRF520L | Poder MOSFET(Vdss=100V/ Rds(on)=0.20ohm/ Id=9.7A) | International Rectifier |
| 567959 | IRF520N | 100V escolhem o MOSFET do poder da N-Canaleta HEXFET em um pacote de TO-220AB | International Rectifier |
| 567960 | IRF520NL | MOSFET poder HEXFET. Vdss = 100V, RDS (on) = 0,20 Ohm, ID = 9.7a | International Rectifier |
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