| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 1175841 | STP19N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175842 | STP19N06L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175843 | STP19N06L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175844 | STP19N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175845 | STP19N06LFI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175846 | STP19N06LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175847 | STP19NB20 | MOSFET ОМА 19A TO-220/TO-220FP/I2PAK
POWERMESH N-CHANNEL 200V 0.5 | ST Microelectronics |
| 1175848 | STP19NB20 | Н - Mosfet PowerMESH РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175849 | STP19NB20 | MOSFET РЕЖИМА POWERMESH ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175850 | STP19NB20FP | MOSFET ОМА 19A TO-220/TO-220FP/I2PAK
POWERMESH N-CHANNEL 200V 0.5 | ST Microelectronics |
| 1175851 | STP19NB20FP | MOSFET РЕЖИМА POWERMESH ПОВЫШЕНИЯ
N-CHANNEL | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175852 | STP19NF20 | N-канальный 200 В, 0,15 Ом тип., 15 MESH OVERLAY (TM) Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175853 | STP19NM50N | N-канальный 500 В, 0,2 Ом, 14 MDmesh (TM) II Мощность MOSFET в TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175854 | STP1N105K3 | N-канальный 1050 V, 8 Ом тип., 1,4 SuperMESH3 (TM) Мощность MOSFET в TO-220 пакет | ST Microelectronics |
| 1175855 | STP200NF03 | N-CHANNEL 30V - 0.0032 ОМА -
MOSFET СИЛЫ 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET
II | ST Microelectronics |
| 1175856 | STP200NF03 | N-CHANNEL 30V - 0,0032 Ом - 120A D2PAK / I2PAK / К-220 МОЩНОСТЬ MOSFET STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175857 | STP200NF04 | N-CHANNEL 40V - MOSFET СИЛЫ 120A
TO-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1175858 | STP200NF04L | N-CHANNEL 40V 0,003 Ом 120A TO-220 STRIPFET II MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175859 | STP20N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175860 | STP20N06 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175861 | STP20N06 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175862 | STP20N06FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175863 | STP20N06FI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175864 | STP20N06FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175865 | STP20N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175866 | STP20N10 | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ
КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175867 | STP20N10 | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175868 | STP20N10FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175869 | STP20N10FI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175870 | STP20N10L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175871 | STP20N10L | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175872 | STP20N10L | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175873 | STP20N10LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175874 | STP20N10LFI | Н - ТРАНЗИСТОР Mos СИЛЫ НИЗКИЙА ПОРОГ
РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ КАНАЛА | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175875 | STP20N10LFI | СТАРЫЙ ПРОДУКТ: ЦЕЛЕСООБРАЗНО ДЛЯ НОВОГО
DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175876 | STP20N20 | Mosfet ОБЯЗАННОСТИ STRIPFET II СТРОБА
Ома 18ЈA TO-220/TO-220FP/DPAK N-CHANNEL 200V
0.10 НИЗКИЙ | ST Microelectronics |
| 1175877 | STP20N65M5 | N-канальный 650 В, 0,160 Ом тип., 18 MDmesh (TM) V MOSFET Власть в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175878 | STP20N95K5 | N-канальный 950 В, 0,275 Ом тип., 17,5 стабилитрон с защитой SuperMESH (TM) 5 Мощность MOSFET в TO-220 корпусе | ST Microelectronics |
| 1175879 | STP20NE06 | N-CHANNEL 60V - 0.06 ОМА - MOSFET
СИЛЫ 20A TO-220/TO-220FP STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1175880 | STP20NE06 | Н - КАНАЛ 60V - 0.06 Ома - Mosfet
СИЛЫ 20A TO-220/TO-220FP STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
