| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 567521 | IRF153 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567522 | IRF153 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слейте-sourge напряжения 60V. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 33A. | General Electric Solid State |
| 567523 | IRF153 | 33А и 40А, 60В и 100В, 0,055 и 0,08 Ом, N-Channel Полевые транзисторы | Intersil |
| 567524 | IRF1607 | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567525 | IRF1704 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A) | International Rectifier |
| 567526 | IRF1704 | Power MOSFET(Vdss=40V, Rds(on)=0.004ohm, Id=170A) | International Rectifier |
| 567527 | IRF1730G | Сила MOSFET(Vdss=400V/ Rds(on)=1.0ohm/
Id=3.7A) | International Rectifier |
| 567528 | IRF1902 | 20V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
| 567529 | IRF1902TR | 20V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете SO-8 | International Rectifier |
| 567530 | IRF200 | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
| 567531 | IRF200 | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
| 567532 | IRF200S100RJ | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
| 567533 | IRF200S100RJ | 50W к АЛЮМИНИЮ РЕЗИСТОРОВ РАНЫ ПРОВОДА ВЫСОКОЙ
СИЛЫ 500W ПЛОСКОМУ СФОРМИРОВАННОМУ РАСКВАРТИРОВАЛО | etc |
| 567534 | IRF220 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567535 | IRF220 | 4.0A и 5.0A/ 150V и 200V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.8 и 1.2 омов | Intersil |
| 567536 | IRF220 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567537 | IRF220 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 567538 | IRF220-223 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567539 | IRF2204 | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567540 | IRF2204L | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567541 | IRF2204S | 40V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567542 | IRF221 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567543 | IRF221 | 4.0A и 5.0A/ 150V и 200V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.8 и 1.2 омов | Intersil |
| 567544 | IRF221 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567545 | IRF221 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 5.0A. | General Electric Solid State |
| 567546 | IRF222 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567547 | IRF222 | 4.0A и 5.0A/ 150V и 200V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.8 и 1.2 омов | Intersil |
| 567548 | IRF222 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567549 | IRF222 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567550 | IRF223 | MOSFETs/ 7A/ 150-200V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567551 | IRF223 | 4.0A и 5.0A/ 150V и 200V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.8 и 1.2 омов | Intersil |
| 567552 | IRF223 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567553 | IRF223 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 150В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 4.0A. | General Electric Solid State |
| 567554 | IRF224 | (IRF225) Транзисторы HEXFET | International Rectifier |
| 567555 | IRF230 | 200V определяют mosfet Н-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAA | International Rectifier |
| 567556 | IRF230 | MOSFETS СИЛЫ РЕЖИМА ПОВЫШЕНИЯ N-CHANNEL
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ | SemeLAB |
| 567557 | IRF230 | MOSFETs/ 12ЈA/ 150-200 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567558 | IRF230 | 8.0A и 9.0A/ 150V и 200V/
mOSFETs силы Н-Kanala 0.4 и 0.6 омов | Intersil |
| 567559 | IRF230 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567560 | IRF230 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 200В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 9.0a. | General Electric Solid State |
| | | |
