| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 567641 | IRF3007 | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567642 | IRF3007L | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567643 | IRF3007S | 75V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2-Pak | International Rectifier |
| 567644 | IRF320 | MOSFETs/ 3.0 A/ 350-400 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567645 | IRF320 | 2.8ЈA и 3.3ЈA/ 350V и 400V/
mOSFETs силы Н-Kanala 1.8 и 2.5 омов | Intersil |
| 567646 | IRF320 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567647 | IRF320 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 400В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 567648 | IRF320-323 | MOSFETs/ 3.0 A/ 350-400 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567649 | IRF3205 | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567650 | IRF3205L | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567651 | IRF3205LPBF | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567652 | IRF3205PBF | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567653 | IRF3205S | те PIC16F877A. Это мощное (исполнение
инструкции 200 наносекунд) но легк-к-programma...<> | International Rectifier |
| 567654 | IRF3205SPBF | те PIC16F877A. Это мощное (исполнение
инструкции 200 наносекунд) но легк-к-programma...<> | International Rectifier |
| 567655 | IRF3205STRL | те PIC16F877A. Это мощное (исполнение
инструкции 200 наносекунд) но легк-к-programma...<> | International Rectifier |
| 567656 | IRF3205STRR | те PIC16F877A. Это мощное (исполнение
инструкции 200 наносекунд) но легк-к-programma...<> | International Rectifier |
| 567657 | IRF3205VPBF | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567658 | IRF3205Z | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567659 | IRF3205ZL | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567660 | IRF3205ZLPBF | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-262 | International Rectifier |
| 567661 | IRF3205ZPBF | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете TO-220AB | International Rectifier |
| 567662 | IRF3205ZS | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2Pak | International Rectifier |
| 567663 | IRF3205ZSPBF | 55V определяют mosfet силы Н-Kanala
HEXFET в пакете D2Pak | International Rectifier |
| 567664 | IRF321 | MOSFETs/ 3.0 A/ 350-400 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567665 | IRF321 | 2.8ЈA и 3.3ЈA/ 350V и 400V/
mOSFETs силы Н-Kanala 1.8 и 2.5 омов | Intersil |
| 567666 | IRF321 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567667 | IRF321 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 350В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 3.0A. | General Electric Solid State |
| 567668 | IRF322 | MOSFETs/ 3.0 A/ 350-400 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567669 | IRF322 | 2.8ЈA и 3.3ЈA/ 350V и 400V/
mOSFETs силы Н-Kanala 1.8 и 2.5 омов | Intersil |
| 567670 | IRF322 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567671 | IRF322 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 400В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567672 | IRF323 | MOSFETs/ 3.0 A/ 350-400 В Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567673 | IRF323 | 2.8ЈA и 3.3ЈA/ 350V и 400V/
mOSFETs силы Н-Kanala 1.8 и 2.5 омов | Intersil |
| 567674 | IRF323 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567675 | IRF323 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 350В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 2.5A. | General Electric Solid State |
| 567676 | IRF330 | 400V определяют mosfet Н-Kanala
hi-Rel-Rel в пакете TO-204ЈAA | International Rectifier |
| 567677 | IRF330 | MOSFETs/ 5.5ЈA/ 350 V/400V Силы
Н-Kanala | Fairchild Semiconductor |
| 567678 | IRF330 | 5.5ЈA/ 400V/ Mosfet Силы Н-Kanala
1.000 Омов | Intersil |
| 567679 | IRF330 | MOSFETS СИЛЫ N-CHANNEL | Samsung Electronic |
| 567680 | IRF330 | N-канальный повышение режим питания полевой транзистор. Слив-sourge напряжение 400В. Непрерывный ток стока (в Tc 25deg) 5.5A. | General Electric Solid State |
| | | |
