| Номер | Часть Имя | Описание | Производитель |
| 881921 | MJE253 | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 881922 | MJE253 | Сила 4ЈA 100V PNP | ON Semiconductor |
| 881923 | MJE254 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Central Semiconductor |
| 881924 | MJE254 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | Central Semiconductor |
| 881925 | MJE270 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON 2.0 АМПЕРОВ
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ 100 ВОЛЬТОВ 15 ВАТТ | Motorola |
| 881926 | MJE270 | Сила 2ЈA 100V NPN Комплементарная | ON Semiconductor |
| 881927 | MJE270 | Сила 2ЈA 100V NPN Комплементарная | ON Semiconductor |
| 881928 | MJE270 | 15.000W Дарлингтон NPN Пластиковые выводами транзистора. 100V VCEO, 4.000A Ic, 500 HFE. | Continental Device India Limited |
| 881929 | MJE270-D | Комплементарные Транзисторы Силы NPN Кремния | ON Semiconductor |
| 881930 | MJE271 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON 2.0 АМПЕРОВ
КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ 100 ВОЛЬТОВ 15 ВАТТ | Motorola |
| 881931 | MJE271 | Сила 2ЈA 100V PNP | ON Semiconductor |
| 881932 | MJE271 | Сила 2ЈA 100V PNP | ON Semiconductor |
| 881933 | MJE2801 | СИЛА TRANSISTORS(10A /60V /75W) | MOSPEC Semiconductor |
| 881934 | MJE2801T | СИЛА TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881935 | MJE2801T | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 881936 | MJE2901T | СИЛА TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881937 | MJE2901T | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 881938 | MJE2955 | СИЛА TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881939 | MJE2955-G | Общего назначения Транзистор, V СВО = -70V, V CEO = -60V, V EBO = -5, я C = -10a | Comchip Technology |
| 881940 | MJE2955T | Транзистор Кремния PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881941 | MJE2955T | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 881942 | MJE2955T | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 881943 | MJE2955T | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| 881944 | MJE2955T | СИЛА TRANSISTORS(10A, 60v, 75w) | MOSPEC Semiconductor |
| 881945 | MJE2955T | DC УСИЛИТЕЛЯ СИЛЫ КРЕМНИЯ TRANSISTOR(AUDIO
PNP ПЛОСКОСТНОЙ К КОНВЕРТЕРУ DC) | Wing Shing Computer Components |
| 881946 | MJE2955T | ОПИСАНИЕ КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ПЛОСКОСТНОЕ
TRANSISTOR(GENERAL) | Wing Shing Computer Components |
| 881947 | MJE2955T | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ 10 АМПЕРОВ КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ
60 ВОЛЬТОВ 75 ВАТТ | Motorola |
| 881948 | MJE2955T | Освинцованное General purpose Транзистора
Силы | Central Semiconductor |
| 881949 | MJE2955T | Сила 10A 60V Дискретное PNP | ON Semiconductor |
| 881950 | MJE2955T | 75.000W средней мощности PNP Пластиковые выводами транзистора. 60V VCEO, 10.000A Ic, 5 HFE. | Continental Device India Limited |
| 881951 | MJE2955T | -70 V, -10, PNP кремниевый транзистор | Samsung Electronic |
| 881952 | MJE2955T | PNP, кремния пластик силового транзистора. Предназначен для коммутации общего назначения и усилителя применения. VCEO = 60В, Vcb = 70Vdc, Вэб | USHA India LTD |
| 881953 | MJE2955T-D | Транзисторы Силы Комплементарного Кремния Пластичные | ON Semiconductor |
| 881954 | MJE2955TTU | Транзистор Кремния PNP | Fairchild Semiconductor |
| 881955 | MJE3055 | ОПИСАНИЕ КРЕМНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ ПЛОСКОСТНОЕ
TRANSISTOR(GENERAL) | Wing Shing Computer Components |
| 881956 | MJE3055 | ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ 10 АМПЕРОВ КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ
60 ВОЛЬТОВ 75 ВАТТ | Motorola |
| 881957 | MJE3055 | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 881958 | MJE3055T | Транзистор Кремния Транзистора Кремния NPN
Плоскостной | Fairchild Semiconductor |
| 881959 | MJE3055T | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | ST Microelectronics |
| 881960 | MJE3055T | КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ | SGS Thomson Microelectronics |
| | | |
