|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22048 | 22049 | 22050 | 22051 | 22052 | 22053 | 22054 | 22055 | 22056 | 22057 | 22058 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
882081MJE702TСИЛА TRANSISTORS(4.0A, 60-80V, 40w)MOSPEC Semiconductor
882082MJE702TОсвинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
882083MJE703Транзистор Darlington Кремния PNP ЭпитаксиальныйFairchild Semiconductor
882084MJE703КРЕМНИЙ 4.0 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА DARLINGTON КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ 40 ВАТТ 50 ВАТТMotorola
882085MJE703Освинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
882086MJE703-60 V, -4, NPN кремния эпитаксиальный транзистор ДарлингтонаSamsung Electronic
882087MJE703STUТранзистор Darlington Кремния PNP ЭпитаксиальныйFairchild Semiconductor
882088MJE703TСИЛА TRANSISTORS(4.0A, 60-80V, 40w)MOSPEC Semiconductor
882089MJE703TОсвинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
882090MJE710Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
882091MJE710СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ ПЛАСТИЧНАЯCentral Semiconductor
882092MJE711Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
882093MJE711СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ ПЛАСТИЧНАЯCentral Semiconductor
882094MJE712Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
882095MJE712СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ ПЛАСТИЧНАЯCentral Semiconductor
882096MJE720Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
882097MJE720СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ ПЛАСТИЧНАЯCentral Semiconductor
882098MJE721Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
882099MJE721СИЛА TRANSISTORSS КОМПЛЕМЕНТАРНОГО КРЕМНИЯ ПЛАСТИЧНАЯCentral Semiconductor
882100MJE722Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
882101MJE800Транзистор Darlington Кремния NPN ЭпитаксиальныйFairchild Semiconductor
882102MJE800КРЕМНИЙ 4.0 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА DARLINGTON КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ 40 ВАТТ 50 ВАТТMotorola
882103MJE800Освинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
882104MJE800Сила 4ЈA 60V NPNDON Semiconductor
882105MJE80060 V, 5, эпитаксиальных кремниевых NPN транзистор ДарлингтонаSamsung Electronic
882106MJE800STUТранзистор Darlington Кремния NPN ЭпитаксиальныйFairchild Semiconductor
882107MJE800TСИЛА TRANSISTORS(4.0A, 60-80V, 40w)MOSPEC Semiconductor
882108MJE800TКРЕМНИЙ 4.0 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА DARLINGTON КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ 40 ВАТТ 50 ВАТТMotorola
882109MJE800TОсвинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
882110MJE801Транзистор Darlington Кремния NPN ЭпитаксиальныйFairchild Semiconductor
882111MJE801Освинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
882112MJE80160 V, 5, эпитаксиальных кремниевых NPN транзистор ДарлингтонаSamsung Electronic
882113MJE801STUТранзистор Darlington Кремния NPN ЭпитаксиальныйFairchild Semiconductor
882114MJE801TСИЛА TRANSISTORS(4.0A, 60-80V, 40w)MOSPEC Semiconductor
882115MJE801TОсвинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
882116MJE802ТРАНЗИСТОР СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ NPNST Microelectronics
882117MJE802ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ NPNSGS Thomson Microelectronics
882118MJE802КРЕМНИЙ 4.0 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА DARLINGTON КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ 40 ВАТТ 50 ВАТТMotorola
882119MJE802Освинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
882120MJE802Транзистор Darlington Кремния NPN ЭпитаксиальныйFairchild Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22048 | 22049 | 22050 | 22051 | 22052 | 22053 | 22054 | 22055 | 22056 | 22057 | 22058 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com