|   Главная страница   |   Все производители   |   В функции   |  

Часть название, описание или производитель содержать:

   
Быстрый переход к:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22049 | 22050 | 22051 | 22052 | 22053 | 22054 | 22055 | 22056 | 22057 | 22058 | 22059 | >>
НомерЧасть ИмяОписаниеПроизводитель
882121MJE802Сила 4ЈA 80V NPNDON Semiconductor
882122MJE80260 V, 5, эпитаксиальных кремниевых NPN транзистор ДарлингтонаSamsung Electronic
882123MJE802STUТранзистор Darlington Кремния NPN ЭпитаксиальныйFairchild Semiconductor
882124MJE802TСИЛА TRANSISTORS(4.0A, 60-80V, 40w)MOSPEC Semiconductor
882125MJE802TОсвинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
882126MJE803Транзистор Darlington Кремния NPN ЭпитаксиальныйFairchild Semiconductor
882127MJE803ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ NPNSGS Thomson Microelectronics
882128MJE803КРЕМНИЙ 4.0 ТРАНЗИСТОРОВ СИЛЫ АМПЕРА DARLINGTON КОМПЛЕМЕНТАРНЫЙ 40 ВАТТ 50 ВАТТMotorola
882129MJE803Освинцованное General purpose Транзистора СилыCentral Semiconductor
882130MJE803ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ DARLINGTON КРЕМНИЯ NPNST Microelectronics
882131MJE80360 V, 5, эпитаксиальных кремниевых NPN транзистор ДарлингтонаSamsung Electronic
882132MJE803STUТранзистор Darlington Кремния NPN ЭпитаксиальныйFairchild Semiconductor
882133MJE803TСИЛА TRANSISTORS(4.0A, 60-80V, 40w)MOSPEC Semiconductor
882134MJE803TОсвинцованный Транзистор Силы DarlingtonCentral Semiconductor
882135MJE8503ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 5.0 АМПЕРА 1500 ВОЛЬТОВ - BVCES 80 ВАТТMotorola
882136MJE8503AТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 5.0 АМПЕРА 1500 ВОЛЬТОВ - BVCES 80 ВАТТMotorola
882137MJE9780ТРАНЗИСТОР СИЛЫ КРЕМНИЯ PNP 3.0 АМПЕРА 150 ВОЛЬТОВMotorola
882138MJE9780Транзистор Силы Кремния PNPON Semiconductor
882139MJE9780-DТранзистор Силы Кремния PNPON Semiconductor
882140MJF122КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ СИЛА DARLINGTONS КРЕМНИЯMotorola
882141MJF122Сила 5ЈA 100V Darlington NPNON Semiconductor
882142MJF122-DКомплементарная Сила Darlingtons Для Изолированных Применений ПакетаON Semiconductor
882143MJF127КОМПЛЕМЕНТАРНАЯ СИЛА DARLINGTONS КРЕМНИЯMotorola
882144MJF127Сила 5ЈA 100V PNPON Semiconductor
882145MJF13007ТРАНЗИСТОР СИЛЫ 8.0 АМПЕРА 400 ВОЛЬТОВ 80/40 ВАТТMotorola
882146MJF15030КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ 8 АМПЕРОВ 150 ВОЛЬТОВ 36 ВАТТMotorola
882147MJF15030Сила 8ЈA 150V NPNON Semiconductor
882148MJF15030-DКомплементарные Транзисторы Силы Для Изолированных Применений ПакетаON Semiconductor
882149MJF15031КОМПЛЕМЕНТАРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ КРЕМНИЯ 8 АМПЕРОВ 150 ВОЛЬТОВ 36 ВАТТMotorola
882150MJF15031Сила 8ЈA 150V PNPON Semiconductor
882151MJF18002ТРАНЗИСТОР СИЛЫ 2.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ 25 и 50 ВАТТMotorola
882152MJF18002SWITCHMODE ™ON Semiconductor
882153MJF18004ТРАНЗИСТОР СИЛЫ 5.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ 35 и 75 ВАТТMotorola
882154MJF18004Switchmode™ON Semiconductor
882155MJF18006ТРАНЗИСТОР СИЛЫ 6.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ 40 и 100 ВАТТMotorola
882156MJF18008ТРАНЗИСТОР СИЛЫ 8.0 АМПЕРА 1000 ВОЛЬТОВ 45 и 125 ВАТТMotorola
882157MJF18008Транзистор™ Силы SWITCHMODE NPN Двухполярный Для Применений Источника питания ПереключенияON Semiconductor
882158MJF18009ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 10 АМПЕРОВ 1000 ВОЛЬТОВ 50 и 150 ВАТТMotorola
882159MJF18204ТРАНЗИСТОРЫ СИЛЫ 5 АМПЕРОВ 1200 ВОЛЬТОВ 35 и 75 ВАТТMotorola
882160MJF18204SWITCHMODE ™ NPN биполярный Мощность транзистор для электронных светло балласт и импульсный источник питания ПриложенияON Semiconductor
Информация Найдено :: 1351360Страница: << | 22049 | 22050 | 22051 | 22052 | 22053 | 22054 | 22055 | 22056 | 22057 | 22058 | 22059 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versão portuguese para esta página



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com