| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 249641 | BC214 | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249642 | BC214 | Puissance De Milieu Du Processus 63 PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249643 | BC214 | Amplificateur transistor PNP | ON Semiconductor |
| 249644 | BC214B | 0.350W usage général PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 0.100A Ic, 40 HFE - | Continental Device India Limited |
| 249645 | BC214C | 0.350W usage général PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 0.100A Ic, 100-600 hFE | Continental Device India Limited |
| 249646 | BC214L | AMPLIFICATEURS ET CONDUCTEURS DE SIGNAL D'CAf DE SILICIUM PETITS | Micro Electronics |
| 249647 | BC214L | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249648 | BC214LB | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249649 | BC214LB_L34Z | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249650 | BC214LC | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249651 | BC214L_D26Z | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249652 | BC214L_L34Z | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 249653 | BC214RL1 | Amplificateur transistor PNP | ON Semiconductor |
| 249654 | BC237 | Applications de commutation et d'amplificateur | Fairchild Semiconductor |
| 249655 | BC237 | Transistor Tout usage | Korea Electronics (KEC) |
| 249656 | BC237 | Mocy krzemowy de ma³ej de Tranzystor, czêstotliwo¶ci de ma³ej | Ultra CEMI |
| 249657 | BC237 | Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 249658 | BC237 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL PLANAIRE DE SILICIUM DE NPN | Micro Electronics |
| 249659 | BC237 | Transistors d'usage universel de NPN | Philips |
| 249660 | BC237 | Transistors D'Amplificateur | Motorola |
| 249661 | BC237 | Silicium NPN De Transistor | ON Semiconductor |
| 249662 | BC237 | 0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249663 | BC237 | Transistor. les applications de commutation et d'amplification. Tension collecteur-base VCBO = 50V. Tension collecteur-émetteur VCEO = 45V. Tension émetteur-base Vebo = 6V. Collector dissipation Pc (max) = 500 mW. Courant de collecteur I | USHA India LTD |
| 249664 | BC237-D | Silicium Des Transistors NPN D'Amplificateur | ON Semiconductor |
| 249665 | BC237A | Transistors D'Amplificateur | Motorola |
| 249666 | BC237A | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249667 | BC237A | 0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
| 249668 | BC237A | Amplificateur transistor NPN | ON Semiconductor |
| 249669 | BC237ABU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249670 | BC237ATA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249671 | BC237AZL1 | Amplificateur transistor NPN | ON Semiconductor |
| 249672 | BC237B | Transistors d'usage universel de NPN | Philips |
| 249673 | BC237B | Transistors D'Amplificateur | Motorola |
| 249674 | BC237B | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249675 | BC237B | Silicium NPN De Transistor | ON Semiconductor |
| 249676 | BC237B | 0.350W usage général NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
| 249677 | BC237BBU | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249678 | BC237BRL1 | Silicium NPN De Transistor | ON Semiconductor |
| 249679 | BC237BTA | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 249680 | BC237BTAR | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Fairchild Semiconductor |
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