| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 252641 | BC858B | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 252642 | BC858B | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 252643 | BC858B | 0.250W usage général PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 220-475 hFE. BC848B complémentaire | Continental Device India Limited |
| 252644 | BC858B | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 252645 | BC858B | Transistor PNP pour usage général et applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
| 252646 | BC858B | Ic = 100mA, Vce = transistor de 5.0V | MCC |
| 252647 | BC858B | Montage 30 V, surface PNP petit transistor de signal | TRANSYS Electronics Limited |
| 252648 | BC858B | Montage 30 V, surface PNP petit transistor de signal | TRSYS |
| 252649 | BC858B(Z) | SOT23 NPN SILICON PLANAR GÉNÉRALES TRANSISTORS DE BUT | Diodes |
| 252650 | BC858B-3K | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252651 | BC858B-3K | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252652 | BC858B-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252653 | BC858B-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252654 | BC858B-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
| 252655 | BC858BDW1T1 | Transistors(PNP Tout usage Duel Conjugue) | Leshan Radio Company |
| 252656 | BC858BF | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252657 | BC858BF E6327 | Transistors simples d'cAf pour des applications tout usage | Infineon |
| 252658 | BC858BL | Transistor Tout usage | ON Semiconductor |
| 252659 | BC858BL3 | Transistors simples d'cAf pour des applications tout usage | Infineon |
| 252660 | BC858BLT1 | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252661 | BC858BLT1 | L'CAffaire 318-08, DÉNOMMENT 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 252662 | BC858BLT1 | Transistor Tout usage | ON Semiconductor |
| 252663 | BC858BLT1G | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
| 252664 | BC858BLT1G | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252665 | BC858BLT1G | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
| 252666 | BC858BLT1G | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252667 | BC858BLT3 | Transistor Tout usage | ON Semiconductor |
| 252668 | BC858BMTF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252669 | BC858BW | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
| 252670 | BC858BW | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 252671 | BC858BW | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 252672 | BC858BW | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252673 | BC858BW | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
| 252674 | BC858BW | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 252675 | BC858BW | Transistor PNP pour usage général et applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
| 252676 | BC858BW-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252677 | BC858BW-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252678 | BC858BW-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
| 252679 | BC858BW-G | Petits signaux Transistor, V CBO = -30V, V PDG = -30V, V EBO = 5V, je C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252680 | BC858BWT1 | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
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