| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 252841 | BC860B-4F | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252842 | BC860B-4F | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252843 | BC860BF E6327 | Transistors simples d'cAf pour des applications tout usage | Infineon |
| 252844 | BC860BMTF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252845 | BC860BW | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252846 | BC860BW | Transistors tout usage - paquet SOT323 | Infineon |
| 252847 | BC860BW | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252848 | BC860BW | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 252849 | BC860BW | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 252850 | BC860C | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252851 | BC860C | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252852 | BC860C | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 252853 | BC860C | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252854 | BC860C | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 252855 | BC860C | 0.250W usage général PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC850C complémentaire | Continental Device India Limited |
| 252856 | BC860C | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 252857 | BC860C-4GZ | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252858 | BC860C-4GZ | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252859 | BC860CW | Transistors tout usage - paquet SOT323 | Infineon |
| 252860 | BC860CW | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252861 | BC860CW | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252862 | BC860CW | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 252863 | BC860CW | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 252864 | BC860T | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 252865 | BC860T | Transistors d'Af De Silicium de NPN | Infineon |
| 252866 | BC860W | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252867 | BC860W | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 252868 | BC860W | NPN Silicon AF Transistors | Infineon |
| 252869 | BC868 | Transistor de puissance moyen de NPN | Philips |
| 252870 | BC868 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252871 | BC868 | 20 V, 2 A transistor NPN moyen de puissance | NXP Semiconductors |
| 252872 | BC868-16 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252873 | BC868-25 | Transistor de puissance moyen de NPN | Philips |
| 252874 | BC868-25 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252875 | BC868-25 | 20 V, 2 A transistor NPN moyen de puissance | NXP Semiconductors |
| 252876 | BC86816 | Désuet | Zetex Semiconductors |
| 252877 | BC86825 | Désuet | Zetex Semiconductors |
| 252878 | BC869 | Transistor de puissance moyen de PNP | Philips |
| 252879 | BC869 | TRANSISTOR DE PUISSANCE MOYEN PLANAIRE DE SILICIUM DE SOT89 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252880 | BC869 | 20 V, 2 A PNP transistor de puissance moyenne | NXP Semiconductors |
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