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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
252761BC859ATransistors, & de Rf; AfVishay
252762BC859A0.250W usage général PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 125-250 hFE. BC849A complémentaireContinental Device India Limited
252763BC859ATransistor PNP pour usage général et applications de commutationKorea Electronics (KEC)
252764BC859APNP transistors à usage généralPhilips
252765BC859A-Z4ATRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNPUnknow
252766BC859A-Z4ATRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNPUnknow
252767BC859AMTFTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
252768BC859AWTransistors tout usage - paquet SOT23Infineon
252769BC859AWDes transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse)Siemens
252770BC859AWPNP transistors à usage généralPhilips
252771BC859BTransistors d'usage universel de PNPPhilips
252772BC859BTRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPNZetex Semiconductors
252773BC859BPetits Transistors De Signal (PNP)General Semiconductor
252774BC859BTransistors tout usage - paquet SOT23Infineon
252775BC859BDes transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse)Siemens
252776BC859BTransistors, & de Rf; AfVishay
252777BC859BPNP transistors à usage généralNXP Semiconductors
252778BC859B0.250W usage général PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 220-475 hFE. BC849B complémentaireContinental Device India Limited
252779BC859BPlanarTransistors montage Si épitaxiale de surfaceDiotec Elektronische



252780BC859BTransistor PNP pour usage général et applications de commutationKorea Electronics (KEC)
252781BC859B-4BTRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNPUnknow
252782BC859B-4BTRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNPUnknow
252783BC859BF E6327Transistors simples d'cAf pour des applications tout usageInfineon
252784BC859BLTransistor Tout usageON Semiconductor
252785BC859BLT1Transistor Tout usageON Semiconductor
252786BC859BLT3Transistor Tout usageON Semiconductor
252787BC859BMTFTransistor Épitaxial De Silicium de PNPFairchild Semiconductor
252788BC859BWTransistors d'usage universel de PNPPhilips
252789BC859BWTransistors tout usage - paquet SOT323Infineon
252790BC859BWDes transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse)Siemens
252791BC859BWPNP transistors à usage généralNXP Semiconductors
252792BC859BWPlanarTransistors montage Si épitaxiale de surfaceDiotec Elektronische
252793BC859CTransistors d'usage universel de PNPPhilips
252794BC859CTRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPNZetex Semiconductors
252795BC859CPetits Transistors De Signal (PNP)General Semiconductor
252796BC859CTransistors tout usage - paquet SOT23Infineon
252797BC859CDes transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse)Siemens
252798BC859CTransistors, & de Rf; AfVishay
252799BC859CPNP transistors à usage généralNXP Semiconductors
252800BC859C0.250W usage général PNP Transistor SMD. 30V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC849C complémentaireContinental Device India Limited
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