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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
BC309 construit près: |
TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BC307, BC177, BC320, BC179, BC321, |
Téléchargement BC309 datasheet de Micro Electronics |
pdf 232 kb |
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Mocy de ma³ej de czêstotliwo¶ci de ma³ej de Tranzystor D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BU206, BC337, BC338, BCE107, BUYP54, |
Téléchargement BC309 datasheet de Ultra CEMI |
pdf 2180 kb |
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Transistor. les applications de commutation et d'amplification. Tension collecteur-base VCBO = -30V. Tension collecteur-émetteur VCEO = -25V. Tension émetteur-base Vebo = 5V. Collector dissipation Pc (max) = 500 mW. Courant de collecteur D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BC327, |
Téléchargement BC309 datasheet de USHA India LTD |
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Applications de commutation et d'amplificateur | Téléchargement BC309 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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Transistor Tout usage D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: BC308, |
Téléchargement BC309 datasheet de Korea Electronics (KEC) |
pdf 71 kb |
BC308TAR | Vue BC309 à notre catalogue | BC309A |