|
| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
|
Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF322 construit près: |
N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF323, IRF321, IRF320, |
Téléchargement IRF322 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 167 kb |
|
TRANSISTORS MOSFET de PUISSANCE De N-canal | Téléchargement IRF322 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 218 kb |
|
2.Å et 3.Á/350V et 400V/transistors MOSFET de puissance 1,8 et 2,5 ohms/N-Canal | Téléchargement IRF322 datasheet de Intersil |
pdf 72 kb |
|
Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/350-400 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF320-323, IRF721, IRF723, IRF722, |
Téléchargement IRF322 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
IRF321 | Vue IRF322 à notre catalogue | IRF323 |